霍尔效应（Hall effect）是指当固体导体放置在一个磁场内，且有电流通过时，导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边，继而产生电压（霍尔电压）的现象。电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。霍尔效应于1879年由埃德温·赫伯特·霍尔（Edwin Herbert Hall）发现。 除导体外，半导体也能产生霍尔效应，而且半导体的霍尔效应要强于导体。
The thermopower and Hall coefficient of CuxNbS2 show opposite sign,indicating two kinds of carrier in this system.
CuxNbS2的热电势和霍尔系数具有不同的符号,这表明这一体系包含两种不同类型的载流子。
参考来源 - 铁基高温超导体和过渡金属二硫化物新材料的合成和输运性质的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
研究结果表明，样品的霍尔系数绝对值随着作用于样品压缩应力的增加而减少。
The study result shows that the Hall coefficient (absolute value) of n-Si samples will decrease with the increase of compressive stress.
通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
The coefficient of Hall-effect decided by experiment can determine the type of semiconductor materials, the concentration of carrier, the mobility of carrier and other important parameters.
该实验使用集成霍尔开关传感器，结合焦利氏秤用振动法求弹簧的倔强系数，并介绍了计算弹簧有效质量的一种方法。
The experiment used integrated hall switch sensor and Jonly balance in measuring obstinacy modulus, offered a method of calculating the spring efficiency mass.
应用推荐