只要导孔与沟槽在化学气相沈积介电层上形成之后，即可利用标准制程来进行 阻障层 ( barrier layer )与金属层的沈积。我们利用物理气相沈积(PVD)制程来沈积25奈米厚的钽(tantalum)与130奈米厚的铜。
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氮化钽阻障层 TaN barrier layer
及介质蚀刻阻障层 Dielectic etching stop
阻障层
Barrier layer
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