【摘要】： 在深亚微米(0.15μm及以下)集成电路制造中，后段工艺日趋重要，为降落阻容迟滞(RC Delay)，保障信号传输，减小功耗，有必要对后段工艺进行改进，Via拦阻层MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition，金属有机物化...
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阻容迟滞
Resistance-capacitance hysteresis
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