锑化铟的CAS号是1312-41-0，EINECS号是215-192-3。分子式是InSb，分子量是236.578。
...繁多,其光谱探测范围可从紫外到远红外,但是每一种光电探测器都存在特定的光谱探测范围。尽管光电探测器在波段内连续激光辐照下的效应研究已经较为成熟,但是在实际的光电对抗中,对探测器进行干扰和毁伤的激光波长不一定恰好位于探测器的响应波段之内,开展光电探测器在波段外激光辐照下的效应研究具有重要现实意义。有关波段外激光对光电探测器的作用机理的研究工作,国内外文献中还鲜有报道。本文选取目前已经广泛应用的锑化铟(InSb)光电探测器作为研究对象,开展其在波段外连续激光辐照下的效应研究,探索波段外激光对光电探测器的作用机制。
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半导体激光器的工作事物有砷化钾(Gs),砷化铟(Ins),锑化铟(InSn),铝化镓(Gls)等,输出波长大都在可见光的长波到近红外之间,医用最短的有635nm(常用作瞄准光),常见的波长有810nm,980nm等,不同种类...
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锑化铟探测仪 indium antimonide detector
锑化铟光导探测器 indium-untimonide photoconductive detector
锑化铟-铟 InSb-In
供应锑化铟 in sb
锑化铟单晶 indium antimonide single crystal in sb ; indium antimoningle crystal in sb
锑化铟晶体 indium antimonide crystal
锑化铟电子迁移率 indium-antimonide electron mobility
锑化铟空穴迁移率 indium-antimonide hole mobility
宽带锑化铟探测器 broadband in sb detector
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对锑化铟-铟共晶薄膜磁阻元件的齿轮转速传感器电路进行了研究。
The gear velocity sensor made up of a InSn-In eutectic film magnetoresistor(MR) is studied.
为了获得高质量的晶体，需要解决大尺寸锑化铟晶体生长过程中的精确等径控制问题。
To obtain high quality InSb crystals, a precision diameter-constant control technology is required in the growth process of large size InSb crystals.
锑化铟红外焦平面探测器将要在寿命周期中于室温到77 K的温度范围内工作几千次。
An InSb infrared focal plane array (IRFPA) detector is required to operate in the temperature range from room temperature to 77k for several thousand times in its lifetime period.
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