锂漂移探测器是一种具有较大灵敏体积的一种半导体探测器。锂漂移探测器可以用硅也可以用锗制成，前者称为锂漂移硅[Si(Li)]探测器，其灵敏区厚度可达5-6mm，可用于β、Χ射线和低能γ射线计数测量和能谱测量。后者称之为锂漂移锗[Ge（Li）]探测器，灵敏区厚20mm，灵敏体积达50cm3，较硅有更大的光面截面，对γ射线能量有极好的分辨和检测器检测器较高的探测效率，因而更适合于测量γ射线。锂漂移探测器必须在干冰温度下存放，在液氮温度下使用，以避免锂漂移出晶体。
...锂漂移锗侦检器 cooled lithium i-drifted semicductor detector 冷却锂离子漂移半导体 lithium drifted detector 锂漂移探测器 ..
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锂漂移硅探测器 Sidetecter ; lithium-drifted silicon detector ; SiLidetecter
锂漂移锗探测器 lithium drifted germanium detector
锂漂移锗半导体探测器 lithium drifted germanium semiconductor detector
由于锂漂移型探测器有噪声大、不稳定等弱点，我们在新一代仪器上采用了离子注入型pin探测器。
Because the lithium drifting detector has the noise in a big way, unstable and so on the weakness, we have used the ion implantation PIN detector on the new generation of instrument.
本发明的装置中所用的半导体核探测器最好是采用GL型锂漂移金硅面垒探测器。
The semiconductor nuclear detector used in said invention adopts the GL mode Li-drift-Au sisurface-barrier detector.
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