铁电场效应晶体管也就是铁电介质栅极场效应晶体管（MFSFET，Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET）：这是在MOSFET的基础上，把栅极SiO2绝缘材料更换为高介电常数的铁电材料即得。
...寸，研讨人员制备并研讨了作为1T(1Transistor)构造的铁电存储器单位的铁电场效应晶体管(Ferroelectric Field Effect Transistor)，铁电场效应晶体管的优势在于单位尺寸小、非损坏性读出操作和本钱低。
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...铁电材料的晶界或晶粒表面层制作一些特殊功能的器件,如铁电随机存储器(FRAM)、动态随机存储器(DRAM)以及铁电场效应晶体管(FEFET)等.在众多铁电材料中,使用较多的是锆钛酸铅铁电材料(PZT).
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铁电存储场效应晶体管 FEMFET
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