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互补金属氧化物半导体 CMOS ; CMOS Complementary Metal Oxide ; [电子] Complementary Metal Oxide Semiconductor ; complementary metal oxide semiconductor
金属氧化物半导体 MOS ; metal oxide semiconductor ; IGZO
沟道金属氧化物半导体 nmos ; n channel mos ; PMOS ; nchannelmosn
埋沟金属氧化物半导体 bcmos ; buried channel mos
型槽金属氧化物半导体 v groove mos ; vmos ; v groove metal oxide semiconductor
复合金属氧化物半导体 combined metal oxide semiconductor
金属-氧化物-半导体 MOS ; metal oxide semiconductor ; complementary metal-oxide semi-conductor
金属氧化物半导体构造 mos structure
耐熔金属氧化物半导体 refractory mos
在金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的作品在一个类似的原则，但二极管的MOSFET内掩埋。
The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) works on a similar principle, but the diode is buried within the MOSFET.
一种制造金属氧化物半导体的方法(500)。
A method of manufacturing a metal oxide semiconductor (500).
将金属氧化物半导体的栅极构造蚀刻(510)。
A gate structure of the metal oxide semiconductor is etched (510).
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