邹世昌，1931年7月27日出生于上海市，材料科学家，中国科学院院士，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、博士生导师。 1949-1950年就读于中国纺织工学院（今东华大学）后转入唐山交通大学，1952年毕业于交通大学唐山工学院（即唐山交通大学，现西南交通大学）。1958年获苏联莫斯科有色金属学院副博士学位。历任中国科学院上海冶金研究所研究员、所长。曾参加直空阀门甲种分离膜的研制，并担任工艺组负责人，该成果1984年获国家发明奖一等奖。 邹世昌在国内较早开展了离子束材料改性与离子束分析的研究工作。在中国最早将离子注入应用于半导体集成电路，首先建立了离子背散射沟道技术，并应用于半导体材料及器件。研究离子注入硅单晶的激光退火行为，离子注入多晶硅的激光再结晶，并研制成高CMOS器件。