substrate leakage
衬底漏电
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漏衬底电容 drain substrate capacitance
漏衬底电压 VDu
漏-衬底电容 Cdu
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各种MOSFET测试都要求进行弱电流的测量。这些测试包括栅极漏电、泄漏电流与温度的关系、衬底对漏极的漏电和亚阈区电流等。
Various MOSFET tests require making low current measurements. Some of these tests include gate leakage, leakage current vs. temperature, substrate to-drain leakage, and sub-threshold current.
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