相较于习用之感测电路， 本创作于记忆单元为低电位Vss (即储存邏辑0 之资料)时， 可藉背闸极(back gate)呈顺 向偏压之第一NMOS电晶体MN1 的作用， 以加快内部节点A 之放电速度； 而当记忆单元在浮接(fl oati ng)电位(即储 存邏辑1 之资...
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背闸极
Back gate
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