肖特基缺陷（Schottkydefect）是一种化合物半导体中的点缺陷。在化合物MX中，在T>0K时，由于晶格热振动，能量大的原子离开原格点进入晶格间隙或进入表面，或蒸发到外界，而失去原子的晶格位置即出现空缺生成空位以符号VM（或VX）表示。空位是化合物半导体中常见的点缺陷之一。如果对一个按化学计量比组成的化合物MX晶体，在产生VM的同时，也产生数目相同的VX。此时产生的缺陷称肖特基缺陷，记作(VM VX)。空位可以是中性，也可带正电或负电。它对化合物半导体的导电性能有较大的影响。
（2）离子晶体中的热缺陷 对于AB型二元晶体 肖特基缺陷（Schottky defect）：A，B两种原子同时 出现空位。对于配位数高，结构排列紧密的晶体形成此 缺陷，如NaCl，ZnO。
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