具有一个或多个在电气上与沟道相互绝缘的栅极的场效应半导体器件。
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使用双极晶体管技术的集成电路存储器进行比较的基础上的各种形式的绝缘栅场效应晶体管(IGFET)的记忆。与双极型晶体管接入电路的p-沟道绝缘栅场效应晶体管的存储单元的组合似乎提供了一个理想的特性组合。
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