窄沟道效应(narrow channel effect)
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窄沟道效应
Narrow channel effect
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当场效应晶体管的沟道宽度约等于源和漏结的耗尽层宽度时即为所谓窄沟道器件在器件结构的尺寸缩小时不仅沟道长度变短宽度也将按同比例在缩小于是就会出现窄沟道器件器件的阈值电压等性能因为沟道变窄而发生变化的现象即称为窄沟道效应晶体管的阈值电压升高
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