突触后电位（postsynaptic potential ），略称PSP。也可称突触电位（synaptic poten- tial）。这是突触传递在突触后神经元中所产生的电位变化。有兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位，另外还区别为以化学传递物质为媒介的化学传递所产生的突触后电位与以突触前神经元的动作电流进行电传递而产生的突触后电位。
突触后电位突触后电位 (postsynaptic potential)指突触后膜上的电位变化，是局部电位。指突触后膜上的电位变化，是局部电位。
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...、感受器电位、发生器电位。 D.突触前膜递质释放量减少与否和兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位的产生机制无关，兴奋性突触后电位（EPSP）就是神经末梢释放了兴奋性神经递质，导致突触后膜对Na+通透性增强，Na+内流产生局部去极化；抑制性突触后电位（IPSP）是神经末梢...
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兴奋性突触后电位（excitatory postsynaptic potential EPSP） ：突触 后膜在兴奋性递质的作用下， 使突触后膜对 Na+、 K+的通透性增 加，而 Na+的内流大于 K+的外流，因而产生的局部去极电位...
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兴奋性突触后电位 EPSP ; excitatory postsynaptic potential ; EPSP excitatory postsynaptic potential ; field excitatory postsynaptic potential
按捺性突触后电位 IPSP
高兴性突触后电位 EPSP ; excitatory postsynaptic potential
抑制行突触后电位 IPSP
场兴奋性突触后电位 field excitatory postsynaptic potential ; FEPSPS
抑制性突触后电位 IPSP
的突触后电位 postsynaptic potentials ; excitatorypostsynapticpotentials ; PSPS ; EPSP
突触后电位和突触整合 Postsynaptic Potentials and Synaptic Integration
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突触后电位表现电流效应和频率依赖性，其IPSP具有长时程的抑制作用。
Postsynaptic potentials manifested current effect and frequency dependency and their IPSP displayed a prolonged inhibition.
模型方程分别对应于突触后电位、感受器电位、始段分级电位和轴突上的的脉冲系列，每个方程都具有明确的生理意义。
The equations of the model, corresponding to postsynaptic potentials, receptor potentials, initial segment graded potentials and the impulse train along the axon respectively, have been given.
《公共医学图书馆摘要》：长期电位化（LTP）以前突触活动联对后突触除极化，增加突触讯号强度。
PubMed abstract: Long-term potentiation (LTP) is an enhancement of synaptic strength that can be produced by pairing of presynaptic activity with postsynaptic depolarization.
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