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为提高磁隧道结磁电阻性能提供了新的尝试。
It offers a new try for developing the performance of the magnetic tunneling junctions.
制作磁隧道结的通用材料有二氧化铬和铁钴合金。
Common materials for the MTJ include chromium dioxide and iron-cobalt alloys.
通过磁隧道结(MTJ)，从未构图的磁膜中读出数据。
Data is read from the unpatterned magnetic film using magnetic tunneling junctions (MTJs).
磁隧道结是指在两块铁磁薄片之间夹一层厚度约为0.1nm的极薄绝缘层，构成所谓的结元件。在铁磁材料中，由于量子力学交换作用，铁磁金 属的 3d轨道局域电子能带发生劈裂，使费米(Fermi)面附近自旋向上和向下的电子具有不同的能态密度。在 MTJs中，TMR效应的产生机理是自旋相关 的隧穿效应。MTJs的一般结构为铁磁层 /非磁绝缘 层 /铁磁层(FM/I/FM) 的三明治结构。饱和磁化时，两铁磁层的磁化方向互相平行，而通常两铁磁层的矫顽力不同，因此反向磁化时，矫顽力小的铁磁层磁 化矢量首先翻转，使得两铁磁层的磁化方向变成反 平行。电子从一个磁性层隧穿到另一个磁性层的隧 穿几率与两磁性层的磁化方向有关。
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