本项目实验上，选取高Z金属铅（Pb）作为单元素靶，选取氮化镓（GaN）、碲镉汞（HgCdTe）作为复合材料靶，利用双脉冲激光诱导固体靶产生激光等离子体，采用高精度时间空间分辨测量技术探测等离子体发射谱，通过对发射谱...
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该项目为期 两年(2016～2017)，目前的技术成熟度(TRL)为4级。碲镉汞(MCT)是最重要的红外探测材料之一。因此，越来 越多的空间仪器开始用碲镉汞探测器获取红外通道数据。
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...接触式温度测量领域，制备红外热 释电探测器、红外热释电摄像管、空间技术中的大气 温度测量、红外预警卫星等，如碲镉汞(CdHgTe)等材 料。 要求：热释电系数大、介电常数小、热释电灵敏度高、 居里点高以及物理化学因素稳定等；
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碲镉汞晶体 tellurium-cadmium-mercury crystal ; mercury crystal ; mercury cadmium telluride ctystal
碲镉汞光电导体 HgCdTe photoconductor
碲镉汞光敏电阻器 mercury-cadmium-tellurium photoresistor ; tellurium photoresistor
碲镉汞探测器 mercury cadmium telluride detector
碲镉汞探测器材料 mercury cadmium telluride detector materials
碲镉汞红外焦平面 MCT IRFPA
碲镉汞化物 Mercury Cadmium Telluride
碲镉汞探测器系统 HgCdTd detector system
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最后用椭圆偏振测量的方法分析了碲镉汞的横向和纵向组分均匀性。
Finally, the transverse and longitudinal compositional uniformity of HgCdTe is analyzed by ellipsometric measurement which is a nondestructive, effective and r.
本文主要论述窄禁带半导体碲镉汞的带间光吸收跃迁的理论和实验。
This paper reviews the research progress in both theoretical and experimental aspects of band-to-band optical absorption transition effect in narrow gap semiconductor HgCdTe.
窄禁带半导体碲镉汞红外焦平面列阵研究是当代红外光电子技术的前沿。
The study of the infrared focal plane array based on the narrow gap semiconductors HgCdTe is a hot topic in the field of advanced infrared optoelectronics.
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