硅外延是在高温下通过气相化学反应，在抛光的硅单晶片上生长一层或多层硅单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率，不同厚度及不同型号的外延层，主要用于制造各种硅集成电路和分立器件中重要的基础材料，大直径的硅集成电路芯片生长线均选用硅外延作为起始材料。 《参考，材料化学·第二版》
现代先进的外延技术使应变层锗硅材料的应用成为可能。
Modern advanced epitaxial growth technology has made the widely application of SiGe strained layer materials possible.
与此同时，在新的理论认识与技术条件下，硅材料改性，杂质发光，缺陷工程和硅基异质外延也呈现出新的发展趋势。
With deepened research of porous Si and the advancing nanometer science, a path towards nanometer light-emitting materials is being opened up.
利用SIMOX技术和硅外延工艺制备了厚膜SOI材料。
The thick SOI films were prepared by SIMOX technology and Si epitaxy process.
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