金属绝缘体硅反型层 metal-insulator-silicon Schottky diode
硅反型层
Silicon inversion layer
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提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型。
The MOSFET gate currents of high k gate dielectrics due to direct tunneling are investigated by using a new direct tunneling current model developed.
youdao
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