短沟道效应：缓变沟道的近似不再成立，这个二维电势分布会导致阈值电压随L的缩短而下降，亚阈值特征的降级以及由于隧穿穿透效应而使电流饱和失效，在沟道出现二维电势分布以及高电场，这些不同于长沟道MOS场效应晶体管特性的现象，统称为短沟道效应。
第三章扩散 作业 第三章扩散 作业 1、短沟道效应(Short Channel Effect) :短沟道效应主要是指阈值电压与沟道 相关到非常严重的程度。源-漏两极的 p-n 结将参与对位于栅极下.
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主要影响器件性能的几种小尺寸效应如下： 1，短沟道效应（shortchanneleffect，SCE）：所谓短沟道效应即短沟道器件的阈值电 压受栅控能力减小的影响而发生变化的现象。
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它综合考虑了衬偏效应、短沟道效应以及两者之间的关系。
The model includes the substrate bias effect, the short channel effect and the relation between these two effects.
使用的MOS管模型考虑了短沟道效应、栅源电容、栅漏电容和输出电阻。
The MOS model used includes short-channel effects, gate-source capacitance, gate-drain capacitance, and output resistance.
藉由本发明可以在维持元件密度的情况下制作较宽的字线，避免短沟道效应，提升元件的效能。
Applying the patterning method can manufacture a wider word line under the condition of maintaining an element density, avoid a short-channel effect and improve the efficiency of the element.
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