发光效率与材料是否为直接带隙（Direct Bandgap）有关，图2(a)是直接带隙材料，包括GaN-InN-AlN、GaAs、InP、InAs及GaAs等，这些材料的导带最低点与价带最高点在同一K空间。
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前者称为直接带隙（Direct gap）半导体；后者为间接带隙（Indirect gap）半导体。
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短语
直接带隙半导体
[电子]
Direct-gap semiconductor
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gap semiconductor
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direct band gap semiconductor
直接能带隙
direct band gap