直拉法又称为切克劳斯基法，它是1918年由切克劳斯基（Czochralski）建立起来的一种晶体生长方法，简称CZ法。CZ法的特点是在一个直筒型的热系统汇总，用石墨电阻加热，将装在高纯度石英坩埚中的多晶硅熔化，然后将籽晶插入熔体表面进行熔接，同时转动籽晶，再反转坩埚，籽晶缓慢向上提升，经过引晶、放大、转肩、等径生长、收尾等过程，一支硅单晶就生长出来了。
2.2微米管在化学上的应用直拉法(Czochralski)是培养熔体单晶最常用的方法之一,通常是在拉伸杆的下端固定要生长晶体的籽晶,作为晶体生长的核,在拉伸杆下端固定一微米管同样也可...
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...等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。
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【正文快照】： 1 引言用直拉法 ( Czochralski Technique)生长硅、锗等单晶体是目前常用的方法 .晶体生长期间 ,熔体中热对流是影响晶体质量的重要因素之一 .
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液封直拉法 LEC ; liquid encapsulation czochralski process ; [电子] LEC method ; Liquid Encapsulate- Czochralski
施加磁场液封直拉法 magnetic field applied lec
磁场液封直拉法 MLEC
气压控制直拉法 Vapor-pressure-controlled Czochralski
直拉区熔法 CFZ
直接拉入联接法 direct pull-in connection
垂直拉断法 Normal pull rift method
直接拉力法 Direct tension method
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介绍了直拉法生长单晶硅的基本原理及工艺条件。
This paper introduces the basic principle and process conditions of single crystal silicon growth by Cz method.
直拉法生长单晶硅是目前最常用最成熟的工业化方法。
Growth of Czochralski silicon crystals is the most common and perfect one in industry.
自动直径控制(adc)是直拉法单晶制造中的重要环节。
Automatic diameter control (ADC) is an important procedure in the Czochralski pulling.
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