...以下方程计算了升压 FET 中的功率损耗 (PQ1) [3][5]，并表明相对于传统 PFC 而言，当线电压较低时，寄生 FET 的电容损耗 (PCOSS) 以及 FET 的转换损耗 (PFET_TR) 在升压跟随器 PFC 中会小很多。
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结果表明，随着电激励信号频率的增大，果品的电容、电阻以及损耗角正切值均减小；
The test results indicate that with the increase of frequency, the capacitance, resistance and losses tangent decrease.
由衬底损耗机制，讨论了衬底阻抗、氧化层电容和衬底有效介电常数对滤波性能的影响。
Increasing the substrate resistance and reducing the substrates' oxide thickness and coupled capacitances make a reduction of the substrate loss.
介质损耗测量过程中杂散电容及高压引线寄生电容对测量结果的准确性有着很大的影响。
In the course of medium wastage measure, the sundry capacitance and high voltage down-lead parasitical capacitance greatly affect the veracity of the result.
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