... hypogene mobility 深成活动性 hypergene mobility 浅成活动性 electronic mobility 电子迁移率 ...
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高电子迁移率晶体管 High-electron-mobility transistor ; HEMT ; GaN HEMT ; InP HEMT
电子迁移率检测器 electron mobility detector
高电子迁移率电晶体 HEMT ; GaAs PHEMT
赝高电子迁移率晶体管 PHEMT
硅的电子迁移率 silicon electron mobility
碳化硅的电子迁移率 silicon carbide electron mobility
砷化铟电子迁移率 indium arsenide band gap
高速电子迁移率电晶体 high electron mobility transistor
磷化铟电子迁移率 indium-phosphide electron mobility
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克服因电子迁移率的漂移而带来的误差。
The invention overcomes error caused by excursion of the electron mobility.
作者认为这主要归因于低温下平均电子迁移率和电场漂移速度有很大的提高。
The improvements are attributed by the large increase in average electron mobility as well as in drift velocity at 77 K.
此薄膜晶体管及薄膜晶体管的制造方法可增加开启状态电流与通道区的电子迁移率。
The method can increase electron mobility between the startup state current and the channel area.
在电场下，力作用于自由电子，使电子朝电场的反向加速运动。根据牛顿第二定律，自由电子应当一直被加速，电流随时间持续增大。但我们知道电流到达一个定值后就不会增大，说明存在一个“摩擦力”反抗着电子的加速。摩擦力来自晶格缺陷对电子的散射，包括杂质原子、空隙、间隙原子、位错甚至原子自身的热振动。每个散射事件都使电子失去动能并改变运动方向。 在一定时间内，电子走过的路径不是其速率与时间的乘积，而是多次散射后走过的净长度。电压越高，散射越频繁；时间越长，散射事件越多；截面积越大，散射频率越低，故电子运动的净路径与电压和时间成反比。由此可定义出散射事件频率的物理量，称作电子迁移率μe。
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