IGW25T120 G25T120这种单管采用IGBT3技术，硬开关频率Fk电场终止层(FIeld stop)IGBT工艺技术 ,G25T120低饱和压降,参数离散性小,易于批量生产,正温度系数饱和压降,易于并联,具有类MOSFET无锁定效应,过载能力强,...
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电场终止层
Field termination layer
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