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边缘限定硅膜生长工艺 edge-defined film-fed growth
升华生长工艺 sublimation growth process
外延生长工艺 epitaxy growth technology
熔融淬火生长工艺 process melt-quench-growth
熔化粉末熔化生长工艺 MPMG
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外延生长工艺过程由计算机控制。
All the procedure for epitaxy growth was controlled by a computer.
薄层氧化物生长工艺仍在产生一系列可供采用的技术。
The technology for thin oxide growth is still emerging with a variety of techniques being used.
多晶硅锭的生长工艺过程都要通过加热室的调整来实现。
Technique process of growth of the polycrystalline silicon is based on the adjustment of the heating chamber.
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