向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电子注入(hot electron injection)和F-N隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。
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... hot-carrier immunity 热载体抗干扰性 hot-carrier injection 热电子注入 ; 的热载流子注入 ; 载流子注入 channel hot-carrier 的通道热载子 ...
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研究结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡。
The results show that the limiting factor in thin gate oxides breakdown depends on the balance between the amount of injected hot electrons and holes.
结果表明薄栅氧化层击穿的限制因素依赖于注入热电子量和空穴量的平衡。
The results show that the limiting factor for thin gate oxides depends on the balance between the amounts of injected hot electrons and holes.
本文研究了电子束蒸铝MOS结构的热电子雪崩注入的界面效应。
This Paper studies interface effect of avalanche hot electron in MOS structures.
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