（Field Effect Transistor缩写（FET））简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。
n. source
misc. source electrode
浮动栅极定位于源极区与漏极区之间。
The floating gate is positioned between the source and drain regions.
硬开关(图26所示)几乎不考虑漏源极电压的最小值。
The hard switching approach (as shown in Fig. 26) doesn't consider the minimum drain-source voltage.
在半导体中的源极区和漏极区可以限定晶体管栅极长度。
Source and drain regions in the semiconductor may define a transistor gate length.
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