电浆在干蚀刻方面，已逐渐由高密度电浆源取代传统的活性离子蚀刻（reactive ion etching,RIE），在电浆密度增加情况下，芯片不至于受到太大能量的离子轰击，让破坏性降低到最小。
基于22个网页-相关网页
最具广泛使用的方法便是结合物理性蚀刻与化学反应性蚀刻，即所谓的活性离子蚀刻(RIE, Reactive Ion Etch)，此种蚀刻方式兼具非等向性及高选择比等双重优点，蚀刻的进行主要靠化学反应来达成，以获得高选择比。
基于2个网页-相关网页
·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress