同时，我们也可以利用铜和阻绝层（barrier layer）材料——钽 (Tantalum) 或氮化钽 （Tantalum nitride）的电化学活性差异来抑制铜的腐蚀。相较于铜，钽金属具有较高的化学活性，也就是其氧化电位较铜为高，较易释出电子。
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在电阻器生产中，镍铬(NiCr)和氮化钽(TaN)是常用的电阻膜层材料，镍铬材料温度系数比较小，相对方阻较大；氮化钽材料方阻低，且温度系数为负。
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tan barrier
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参考来源 - 铜互连技术中铝焊接点的氮化钽扩散阻挡工艺优化
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taltanlum nitride
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参考来源 - 氮化钽、钽及氮化钛薄膜血液相容性研究
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tantalum nitride
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