同时,我们也可以利用铜和阻绝层(barrier layer)材料——钽 (Tantalum) 或氮化钽 (Tantalum nitride)的电化学活性差异来抑制铜的腐蚀。相较于铜,钽金属具有较高的化学活性,也就是其氧化电位较铜为高,较易释出电子。
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DIV23分压器采用硅技术专利的自钝化TaNFilm(氮化钽),并且具有达到200 k欧姆的扩展阻值范围。当暴露在潮湿和加电时,氮化钽不溶解,这就使得其为苛刻环.
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