氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，在光电领域、气体传感器、催化剂方面得到了广泛应用。而氧化铟颗粒尺寸达纳米级别时除具有以上功能外，还具备了纳米材料的表面效应、量子尺寸效应、小尺寸效应和宏观量子隧道效应等。
铟锡氧化物热等静压时分解氧对裂纹形成的作用 - 中南大学学报（自然科学版、英文版） 关键字: 氧化铟;氧化锡;裂纹;热等静压;冷等静压[gap=901]Key words: indium oxide; tin oxide; crack; HIP; CIP
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...与显示》2008年01期 技重大专项(No.2004HZ01-2) 【分类号】： TN873 【正文快照】： 1引言近来年,掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide,ITO)作为一种用半导体材料制备而成的透明导电薄膜,在许多行业引起了人们的广泛关注[1,2]。
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-2 中文名称：氧化铟 英文名称：indiumtrioxide 分子式：2[In+3].3[O-2] 分子量：277.6342 更多的氧化铟物化性质，请参考960化工词典词条： 氧化铟 相关产品： 氧氯化锆
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In particular, indium oxide exhibits good sensitivity both to reducing and oxidizing gases. Therefore, it has been expected a promising application in gas sensor.
由于氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能,而被应用于半导体气体传感器。
参考来源 - 氧化铟纳米材料的制备及其气敏性能研究AZO(aluminums zinc oxide films) which have many characteristics such as high ratio of performance to price and innoxious are the replacer of ITO(indium tin oxide films).
掺铝的氧化锌薄膜(AZO)具有性价比高、无污染等特点，是掺锡氧化铟(ITO)的最佳替代产品。
参考来源 - 电子束蒸发制备AZO薄膜的光电性能研究In_2O_3 is an n-type semiconductor and it has been well studied as gas sensor material for detecting ethanol, gasoline, butane, carbon monoxide, methane and ozone, the study of using this material as the ammonia sensor is recognized by workers.
氧化铟作为一种N 型半导体材料,正在被广泛用于乙醇、汽油、丁烷、CO、甲烷、O_3 等气体气敏传感器的研究,作为NH_3 敏感传感器的研究工作也正开始受到重视。
参考来源 - In·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
因此，氧化铟锡一维奈米结构有很大的潜力应用于光电元件系统。
Therefore, ITO nanowires may have potential applications for optoelectronic devices system.
研究人员们正在试图用具有类似性质的、较为便宜的氧化物像氧化铝来取代氧化铟。
The researchers are trying to replace the indium oxide with cheaper oxides like aluminum oxide, which possesses similar properties.
利用氧化铟易于溶于酸性溶液的性质，提出了在倒装焊接之前使用酸性溶液对铟柱进行酸洗。
This article presents acid could be used to wash the indium bumps before flip chip bonding, based on indium oxide dissolved in acid.
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