单位面积里氧化层陷阱电荷(oxide trapped charge) Qot （C/cm 2 ）， 没有特定的分布位置。 77 * * * * * * * * * * 界面陷阱电荷Q it SiO 2 Si + + + + + + + + + + 氧化层固定电...
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然后对不同应力电压、不同沟道长度下氧化层陷阱电荷（包括空穴和电子陷阱俘获）的产生做了进一步的分析。
Thus, the relationships of oxide charge generation, including electron trapping and hole trapping effects, with different stress voltages and channel lengths are analyzed.
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