postexposure bake
其中前烘（postapply bake,pab）、曝光后烘烤（postexposure bake,peb）和显影是三个重要环节，每一步的工艺控制都能不同程度地影响曝光图形的分辨率。
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曝光后烘烤（ ）：10 曝光后烘烤（PEB）： min，100 °C ）： ， 显影： ～ 显影：30～60 s
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曝光后烘烤是以一定温度烘烤曝光后的硅片，目的是降低驻波效应的影响以及使化学反应更充分
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