transistor cutoff region
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在微波双极型晶体管中，收集区的厚度是影响其截止频率的一个重要因素。
The thickness of collector is one of the factors that limit cut-off frequency in microwave bipolar transistors.
youdao
晶体管截止区 在晶体三极管中,VBE<死区电压的区域称为晶体管截止区. 在此区域内,IB=0,IC=ICEO≈0. 截止区和放大区,饱和区为晶体三极管输出三大特性区域.
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