为了控制半导体的性质可以人为地掺入某种化学元素的原子，掺入杂质元素与半导体材料价电子的不同而产生的多余价电子会挣脱束缚，成为导电的自由电子，杂质电离后形成正电中心，称这些掺入的元素为施主杂质。
...从价带激发所需能量小得多，因此，游离状态电子很易激发到导带成为载流子，能提 供电子载流子的杂质称为施主杂质(donor impurity)，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠 近导带底附近。
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... methyl donor 甲基供体 donor dopant 施钟质 ; 施体渗染剂 ; 施主杂质 donor doping 施主掺杂 ...
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...对半导体导电性的影响 4.1.2 杂质半导体(Extrinsic Semiconductor) (1）N型半导体（电子型半导体） 施主杂质 (Donor impurities) 正离子 通过少量掺入五价杂质元素（如：磷）， 极大增加电子的数目。
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施主杂质能级 donor impurity level
本文用变分法计算了半无限晶体近表面内浅态施主杂质的基态能量。
The ground state energies of a shallow donor impurity near a sharp surface of a semi-infinite crystal are studied.
探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对PT C陶瓷性能的影响。
Effects of donors, acceptors, and other trace elements and the frit on properties of the PTC ceramics are discussed.
本文采用二级微扰方法研究厚度对抛物量子点内浅施主杂质处于磁场中极化子效应的影响。
Thickness effect on the shallow donor in parabolic quantum dots within magnetic fields is investigated by using the second-order perturbation method.
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