1．4 SOl的总剂量效应（TID） 总剂量效应（Total Dose Effect）指的是长期辐照过程中多次粒子入射造成的半 导体材料中电荷累积引起器件的失效。总剂量效应主要影响的是氧化层和界面区
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空间辐射可能造成的星载计算机故障可分类归纳为下面几种类型： ①总剂量效应（TID）： 总剂量效应是指在电子器件的特性发生重大变化前，器件所能承受的总吸收 能量级，超过这个能量级后器件就不能正常工作，TID会给...
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因此，这种现象 称为电离总剂量效应（TID，Total Ionizing Dose）。一般来说，对短时间的总剂量 效应（如核爆炸产生的y射线和X射线），主要是氧化物陷阱电荷的损伤；对于...
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总剂量辐射效应 total dose radiation effect
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建立了基于PCI插卡式虚拟仪器的脉冲总剂量效应在线测试系统，详细说明了其工作原理和技术指标。
A pulsed total dose effect in-circuit test system based on PCI card virtual instrument was developed. Working principle and technical specifications were introduced in detail.
空间辐射环境能够引起半导体集成电路发生的总剂量效应、单粒子效应等辐射效应，可以被用来进行空间辐射环境监测。
Radiation effects in si ICs, such as total dose effect, single event effect, et al., can be utilized to measure space radiation environment.
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