... 与耗尽层离子电荷面密度 相互接近，但是电子浓度开始占主 导地位，与V GB 的关系介于指数与 线性之间 强反型(Strong Inversion) 衬底表面的电子电荷密度远大于杂质离子的电荷密度，|Q I |=C ox (V GB -V th )，V th 即为阈值电压 V GB 0 V FB Strong Inversi...
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