故取而代之者为延伸式闸极场效电晶体(EGFET)结构，其结构优点除 了低成本、构造简单且能解决封装问题外，亦有下述之优点：(1)只需更换感测 膜部分，后端之MOSFET 不需更换；...
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延伸式闸极场效电晶体
Extended gate field-effect transistor
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