应变硅 （Strained silicon）：英特尔在新制程中采用了其第二代高性能应变硅。应变硅可提供更高的驱动电流与更快的晶体管的速度，但制造成本却只会有2％的提升...
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...除SiGe层,人们将已经成熟的绝缘体上硅(SOI)技术和应变硅技术相结合,而形成新的绝缘体上的应变硅(Strained Silicon on Insulator,SSOI)技术,不但可以降低SiGe衬底带来的合金散射,还可以解决由于SiGe衬底厚度所带来的光刻方面的问题,...
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...人们将已经成熟的绝缘 体上硅（SOI）技术和应变硅技术相结合，而形成新的绝缘体上的应变硅（Strained SilicononInsulator，SSOI）技术，不但可以降低SiGe衬底带来的合金散射，还可 以解决由于SiGe衬底厚度所带来的光刻方面的问题...
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应变硅技术 Strained Silicon ; strained silicon technology
应变硅晶 Strained Silicon
第四代应变硅技术 Fourth-generation Strained Silicon
双应力应变硅 Dual-Stress Strained Silicon ; Stress Strained Silicon
使用改进型应变硅技术 The second generation Strained Silicon
力应变硅 dual-stress strained silicon
增强型应变硅技术 Enhanced Strained Silicon
藉由应变硅 straining engineering
借由应变硅 straining engineering
In this work, both biaxial strained Si materials and device processes were studied,including high quality materials growth with different structures and device processes development.
开发出不同结构高质量双轴应变硅材料的生长方法。
参考来源 - 应变硅MOS器件的材料和工艺研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
在获得的SGOI衬底材料上生长高质量应变硅材料。
本文主要研究应变硅空穴各机制散射几率及空穴迁移率与晶向、应力的理论关系。
The main work is focused on models of hole scattering mechanisms and hole mobility which is related to the crystal orientations and stress of strained Si.
简介了应变硅材料、栅介质的工艺及铜互连的可靠性，并对新的研究方向做了介绍。
The reliability of strain silicon, gate dielectric and copper interconnection are discussed, and some new researches are presented.
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