台积公司持续投入长远、有潜在利益、与超越水平的前瞻技术研究，例 如：应变矽 (Strained Si) 制程、超低介电常数之导线绝缘材料技术、高介电 常数电闸材料、金属闸极、奈米元件、SOI技术、磁阻式随机存取记忆体 (MRAM) 与先...
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应变矽晶 strained silicon
双应力应变矽 Dual-Stress Strained Silicon
因此得采取应变矽通道 strained-Si channel
应变矽
Strained silicon
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