这是60年代发展起来的一种非常重要的半导体技术。该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路；器件和电路都是在芯片表面一层附近处，整个芯片基本上保持是平坦的（实际上，表面上存在许多台阶）；制作出的晶体管称为平面晶体管（相对于台面晶体管而言），故称相应的制作工艺为平面工艺。 现在平面工艺已经是制造各种半导体器件与集成电路的基本工艺技术。
Jean Hoerni的主要贡献，是对半导体制造的工艺进行了改进，史称平面工艺（planar process），直接催生了集成电路的发明。
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采用大面积的平面工艺硅pin探测器，并结合聚乙烯片，研制了快响应的脉冲中子探测器。
Adopting large area Si-PIN detector and adding the polyethylene film, a fast response pulsed neutron detector is manufactured.
描述了用平面工艺技术研制基于硅多条的两维位置灵敏探测器的制各工艺技术及性能测试初步结果。
The technology and preliminary test results of Si bi-dimension position sensitive detector based on multi-strip structure fabricated by using planar technology were described in this paper.
该技术将基于一个具有增强的高- k金属闸（HKMG平面工艺），新型应变硅，低电阻铜超低K互连。
The technology will be based on a planar process with enhanced high-K metal gate (HKMG), novel strained silicon, and low-resistance copper ultra-low-K interconnects.
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