巨磁阻效应是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的散射最小，材料有最小的电阻。当铁磁层的磁矩为反平行时，与自旋有关的散射最强，材料的电阻最大。
这种结构物质的值与材料薄膜层的方向有关，的一种，巨磁阻效应（Giant Magnetoresistance）是一种和现象，第一节2011-2015年中国光学玻璃产业新趋势探析
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由子层厚度约为几十纳米的Cu/Co纯金属“偶对”构成的多层膜具有巨磁阻效应(Giant Magnetoresistance Effect)。深化研讨标明,多层膜的性能特性不只与“偶对”资料的性质有关,而且与子层的厚度、叠加方式等多种构造要素亲密相关。
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巨磁阻效应用于读取头 read-out head
命名为巨磁阻效应 Giant Magneto-Resistive ; GMR
而巨磁阻效应 giant magnetoresistance ; GMR
巨磁电阻效应 GMR ; giant magnetoresistance ; colossal magnetoresistance effect cmr
巨磁阻抗效应 GMI ; GMI effect ; Giant Magneto Impedance effect
纵向驱动巨磁阻抗效应 LDGMI ; ldgmi effect
的巨磁电阻效应 giant magnetoresistance ; GMR
为巨磁电阻效应 Giant Magnetoresistance ; Giant Magneto- Resistive ; GMR
中的巨磁电阻效应 giant magnetoresistance ; GMR
The discovery of giant magnetoresistance effect has attracted much attention to research of magnetic transport in inhomogeneous systems, which depends on spin of electrons.
巨磁阻效应的发现，导致了一个如何正确看待非均匀系统中磁输运性质的问题，并使电子输运状况依赖于自旋内禀属性的物理观念逐渐形成。
参考来源 - 非均匀系统磁输运性质的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
由于巨磁阻效应材料在磁记录设备和传感器的潜在应用，具有该效应的材料得到了广泛地研究。
Materials with giant magnetoresistance effect (GMR) have been extensively studied because of their potential applications in magnetic recording and sensors.
与各向异性磁阻效应和巨磁阻效应相比，高频磁阻抗效应传感技术灵敏度高、无巴克豪森噪声、适合常温、低磁场检测。
Compared with anisotropic magnetoresistance effect and giant magnetoresistance effect, the sensitivity using HFMI technique is much higher at room temperature and in low magnetic field.
巨磁阻效应的发现，导致了一个如何正确看待非均匀系统中磁输运性质的问题，并使电子输运状况依赖于自旋内禀属性的物理观念逐渐形成。
The discovery of giant magnetoresistance effect has attracted much attention to research of magnetic transport in inhomogeneous systems, which depends on spin of electrons.
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