光数据传输和交换的多通道往往需要能够二维集成的器件，而垂直腔面发射激光器（VCSEL）是一个很好的选择。它与边发射激光器最大的不同点是：出射光垂直于器件的外延表面，即平行于外延生长的方向。
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介绍了垂直腔面发射激光器研究进展。
采用一种新的工艺方法提高了垂直腔面发射激光器的输出功率。
A new process method is proposed to improve the light output power of GaAs vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs).
同时也说明菲涅耳系数矩阵法设计垂直腔面发射激光器是一种快速准确的方法。
At the same time, it shows that studying and designing the vertical-cavity surface-emitting lasers optical properties using the Fresnel matrix method is a simple and fast way.
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，简称VCSEL，又译垂直共振腔面射型激光）是一种半导体，其激光垂直于顶面射出，与一般用切开的独立芯片制程，激光由边缘射出的边射型激光有所不同。 在制作的过程中，VCSEL比边射型激光多了许多优点。边射型激光需要在制作完成后才可进行测试。若一个边射型激光无法运作，不论是因为接触不良或者是物质成长的品质不好，都会浪费制作过程与物质加工的处理时间。然而VCSEL可以在制造的任何过程中，测试其品质并且作问题处理，因为VCSEL的激光是垂直于反应区射出，与边射型激光平行于反应区射出相反，所以可以同时有数万个VCSEL在一个三英寸大的砷镓芯片上被处理。此外，既使VCSEL在制造的过程需要较多的劳动与较精细的材料，生产结果是可被控制的及更多可被预期的。
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