当向纯净的半导体材料中掺杂受主杂质时，价电子的迁移会形成带正电的空穴和负电中心，由于静电引力作用，空穴会受到负电中心较弱的束缚形成束缚态，在其周围运动，空穴得到能量后会脱离束缚形成导电的空穴，把被受主杂质所束缚的空穴的能量状态称为受主能级。
定义 中文名称： 受主能级 英文名称： acceptor level 定义： 当电子束缚于受主杂质中心时，其能量水平(能级)高于导带顶的能量相应的能级。 应用学科： 材料科学技术（一级学科）； 半导体材料（二级学科）； 总
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... acceptor-donorcomplcx受体-给体（式）配位化合物 acceptorlevcl受主能级 acceptorofenergy能量吸收器 ...
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Though nitrogen has been believed to be most promising acceptor to dope p-type ZnO, low solubility in ZnO and deep impurity level cause significant resistance to the formation of shallow acceptor level and high acceptor concentration.
但是,N在ZnO中的固溶度比较低,而且形成的受主能级也比较深,因此难以实现有效的掺杂。
参考来源 - 溶胶凝胶法制备ZnO基薄膜及离子注入研究Cathodoluminescence intensities increased on (100) facets with the increase of boron content in catalyst, and there appeared another acceptor level. High-energy peaks emerge after boron doped.
随着触媒中硼含量的增加,(100)晶面的阴极发光特征峰强度会增强,而且出现新的受主能级,高能峰在硼掺杂后才出现。
参考来源 - 含硼金刚石单晶的微观品质与半导体性能的相关性研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长，使受主能级提高，晶体的带隙变窄，载流子浓度提高。
It is indicated that the boron doping promotes the growth of (111) face of the diamonds, enhances acceptor level, narrow 's band gap and increases carrier concentration correspondingly.
在受主缺陷扩散层中费未能级的变化是线性的。
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