当在半导体材料，例如硅中人为地掺入价电子数更少的杂质原子，例如硼，来取代晶格中硅原子的位置，杂质原子缺少电子与硅形成共价键，需要从别处的硅原子夺取一个价电子，形成空穴和负电中心，这种掺入的杂质元素称为受主杂质。
相应的另一个概念受主杂质（acceptor impurity），三价元素，形成共价键后产生1个电子空穴，通电之后它就接受自由电子。 空穴有正电荷（
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电子浓度: DNn 施主杂质浓度4)受主杂质(Acceptor impurities)与受主能级受主杂质为III族元素,其电离电位EA很低,受主杂质的能级一定很接近禁带底部(即价带顶部),室温下价带中电子容易跃迁这些...
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The results of Energy Spectra show that acceptors Sr are mainly segregated in the grain boundary, which greatly contribute to the form of varistor barrier.
能谱分析表明：受主杂质主要偏析于晶界，这有利于形成具有良好压敏电阻特性的晶界势垒。
参考来源 - 二氧化钛基压敏陶瓷制备及性能研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
探讨了施主杂质、受主杂质等微量元素及玻璃料对PT C陶瓷性能的影响。
Effects of donors, acceptors, and other trace elements and the frit on properties of the PTC ceramics are discussed.
在p型和n型半导体材料之间渡越区中的一个面，在这里施主杂质和受主杂质的浓度相等。
In practical use, an N-type and a P-type are created side by side in the same semi-conductor Crystal, forming a P-N junction.
通过电子探针微区分析和霍尔效应法探测锗杂质及其相关施主和受主浓度的变化。
Electron probe microanalyses and Hall effect were used to measure the variations of Ge dopant and its related donor and acceptor concentrations.
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