... electron emitter 电子发射体 emitter voltage 发射极电压 minority emitter 少数载流子发射极...
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...好 反向漏电小 饱和压降低 电流特性好 封装形式 TO-92 3DG9018极限参数（除非另有规定 Tamb= 25℃ ） 集电极-发射极电压（VCEO）： 15 V 集电极-基 极电压（VCBO）： 30 V 发射极-基 极电压（VEBO）： 5 V 集电极电流 （IC）： 50 mA 耗散功率（Ptot）： 0.4 ...
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集电极-发射极电压 voltage, collector-emitter ; collector-emitter voltage
基极-发射极电压 VBE
集电极发射极电压 Collector-emitter voltage ; collector emitter voltage
基极发射极电压 VBE
基极-发射极电压降 base emitter voltage drop
电极发射极电压 VCEO
电极-发射极电压 VCES
发射极集电极电压 Emitter-collector voltage ; VECO ; Emittercollectorvoltage
发射极电源电压 emitter supply voltage ; VEE
在最佳工作条件下，给出了集电极电流和集电极——发射极电压波形。
The waveforms of the collector current and collector-emitter voltage are also determined under the optimum operation condition.
选择R6的阻值时要确保在负载电流的最高允许值的条件下，Q2的基极-发射极电压大约低于0.5V。
When choosing a value for R6, ensure that Q2's base-emitter voltage is less than approximately 0.5V at the maximum permissible value of the load current.
当iload超过最大允许值时发生过载情况，R6上的电压增大导致基极-发射极电压足够大到导通Q2。
In the event of an overload when ILOAD exceeds its maximum permissible value, the increase in voltage across R6 results in sufficient base-emitter voltage to turn on Q2.
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