用薛定谔方程和泊松方程自洽计算的方法研究了Al0.75 Ga0.25N／GaN对称双量子阱（DQWs）中子带间跃迁（ISBT）的波长和吸收系数对中间耦合势垒高度、中间耦合势垒宽度、势阱宽度和势垒掺杂浓度的依赖关系．研究发现，第...
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Imamoğlu [27] 研究了 半导体非对称双量子阱（SADQW）结构中，以基于子带跃迁 之间的 Fano 干涉引起的透明为基础的非线性光学器件，获得 了较大的共振增强的二阶非线性极化率。
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In single-particle Hamilton eigenvector space, we derived dielectric function of semiconductor symmetric double quantum wells based on random-phase approximation (RPA) framework. In the two-subband model, we got some formulas which can determine the intrasubband and intersubband plasmon modes.
我们在单电子哈密顿量的本征矢空间中得到了对称半导体双量子阱系统基于无规相近似下的介电函数,并在二子带模型下推导了确定对称双量子阱系统中子带内与子带间等离激元的方程。
参考来源 - 半导体对称双量子阱中等离激元性质的研究·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress
利用MOCVD研制了无铝双量子阱列阵半导体激光器。
The aluminum-free two-quantum-well semiconductor laser which wavelength is 940 nm is made by MOCVD.
利用耦合多量子阱载流子动力学模型，模拟了非对称双量子阱中载流子耦合的温度依赖性。
The temperature dependence of the carrier coupling in an asymmetric double-quantum-well was simulated by using the coupling multiple-quantum-well model of carrier dynamics.
非对称双量子阱中载流子动力学过程的温度依赖性研究，对于实现室温下高效的量子阱光电器件有着非常重要的意义。
The understanding of the temperature dependence of carrier dynamics in an asymmetric double-quantum-well is essentially important for the realization of room temperature efficient photonic devices.
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