• single ion radiation - 引用次数：4

  The threshold voltage model of micron and deep sub-micron non-uniform channel DMOS, the radiation threshold voltage model, the radiation mobility model and the transient response model of single ion radiation are internationally proposed for the first time.

  在国际上首次提出微米级和深亚微米级非均匀沟道DMOS阈值电压模型和辐照阈值电压、迁移率模型及单粒子辐照瞬态响应模型。

  参考来源 - 非均匀沟道DMOS基本参数及其辐照理论的研究
  single event effect - 引用次数：1

  参考来源 - DMOS抗辐射关键技术及新结构器件的研究

·2,447,543篇论文数据，部分数据来源于NoteExpress