单异质结激光器可以分为同型异质结（N－n或P－p）和异型异质结（N－p或P-n） 同质PN结：两边采用相同半导体材料的PN结称为同质PN结。 特点： （1）同质PN结两边具有相同的带隙结构和相同的光学性能。 （2）PN结区完全由载流子的扩散形成。 同质PN结半导体激光器 特点： P-N结区较大，且电子或空穴向结区外扩散严重，使形成粒子数反转较难，要求泵浦电流较大，且只能以脉冲方式工作。 是早期的半导体激光器，目前已不采用此类结构。 图 单异质结激光器能带结构示意图 以N－n同型单异质结激光器能带为例，当两种半导体材料紧密接触时形成异质结时，由于禁带宽度大的N型半导体的费米能级比禁带宽度小的高，所以电子将从前者向后者流动。结果在禁带宽度小的N型半导体一边形成了电子的积累层，而另外—边形成了耗尽层。由此形成了值为LE，的势垒层。在一定电流注入下，有源层积累的非平衡载流子浓度将增加。单异质结激光器的阈值电流密度比同质结低一个数量级，并实现了在室温下断续工作，因而得到了一些实际应用。