...日三国发表的“电现象”相关文献分别约为2000、9000、14000 篇，其中涉及“半导体器件制造（Semiconductor device fabrication）”或“蚀刻 （Etching）”两个主题的约为100、2400、2900 篇，中国的文献产出均不到美、日 两国的 1/20。
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半导体器件，半导体器件制造方法，高载流子迁移率晶体管和发光器件。
Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device.
电压测量方法，电测试方法和装置，半导体器件制造方法和器件衬底制造方法。
Voltage metering method, electric test method and device, and method for mfg. semiconductor device and device substrate.
目前，利用半导体器件制造过程中的蚀刻技术，在实验室中已制造出亚微米级的机械元件。
At present, the semiconductor devices used in the manufacturing process of etching technology, in the lab has produced sub-micron mechanical components.
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