Gate-Last ( 后栅极 )、Gate-First(前栅极)是实现HKMG结构晶体管的两大技术流派，区别主要在于硅片漏/源区离子注入操作、高温退火和形成金属栅极的先后..
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关键词： 场发射三极管；前栅极；纳米非晶碳和碳纳 [gap=6123]Key words：field emission triode structure；normal-gate；nano-amorphous carbon and carbon nanotubes ...
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